Semicera tana samar da wani nau'in fenti na musamman na tantalum carbide (TaC) ga sassa daban-daban da kuma masu ɗaukar kaya.Tsarin rufewa na Semicera yana ba da damar shafa tantalum carbide (TaC) don cimma tsarki mai yawa, kwanciyar hankali mai zafi da juriya ga sinadarai mai yawa, inganta ingancin samfur na lu'ulu'u na SIC/GAN da yadudduka na EPI (Mai hana TaC mai rufi da graphite), da kuma tsawaita rayuwar muhimman abubuwan haɗin reactor. Amfani da rufin TaC na Tantalum carbide shine don magance matsalar gefen da kuma inganta ingancin girman lu'ulu'u, kuma Semicera Semicera ta sami nasarar warware fasahar rufe tantalum carbide (CVD), ta kai matakin ci gaba na duniya.
Bayan shekaru da dama na ci gaba, Semicera ta yi nasara a fannin fasaharCVD TaCtare da haɗin gwiwar sashen bincike da ci gaba. Yana da sauƙin faruwa lahani a cikin tsarin girma na wafers na SiC, amma bayan amfani da shiTaC, bambancin yana da mahimmanci. A ƙasa akwai kwatanta wafers tare da TaC da ba tare da su ba, da kuma sassan Simicera' don haɓakar lu'ulu'u ɗaya
tare da kuma ba tare da TaC ba
Bayan amfani da TaC (dama)
Bugu da ƙari, tsawon lokacin aikin samfuran shafa ta TaC na Semicera ya fi tsayi kuma ya fi juriya ga zafin jiki mai yawa fiye da na shafa ta SiC. Bayan dogon lokaci na bayanan aunawa na dakin gwaje-gwaje, TaC ɗinmu zai iya aiki na dogon lokaci a matsakaicin digiri 2300 na Celsius. Ga wasu daga cikin samfuranmu:
(a) Zane-zanen tsarin na'urar girma ingot guda ɗaya ta SiC ta hanyar hanyar PVT (b) Babban maƙallin iri mai rufi ta TaC (gami da iri na SiC) (c) Zoben jagora mai rufi da graphite mai rufi ta TAC
