CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Bayani:CVDbabban silicon carbide (SiC)abu ne da ake nema sosai a cikin kayan aikin etching na plasma, aikace-aikacen sarrafa zafi mai sauri (RTP), da sauran hanyoyin ƙera semiconductor. Abubuwan da ya keɓance na injiniya, sinadarai, da thermal sun sa ya zama kayan da ya dace don aikace-aikacen fasaha na zamani waɗanda ke buƙatar daidaito da dorewa mai yawa.
Aikace-aikacen CVD Bulk SiC:Bulk SiC yana da matuƙar muhimmanci a masana'antar semiconductor, musamman a tsarin etching na plasma, inda sassa kamar zoben mayar da hankali, kananun shawa na gas, zoben gefuna, da platens ke amfana daga juriyar tsatsa da kuma yanayin zafi na SiC. Amfaninsa ya kai gaRTPtsarin saboda ikon SiC na jure saurin canjin yanayin zafi ba tare da raguwa mai yawa ba.
Baya ga kayan aikin sassaka, CVDgirma SiCana fifita shi a cikin tanderun watsawa da hanyoyin haɓaka lu'ulu'u, inda ake buƙatar kwanciyar hankali mai zafi da juriya ga muhallin sinadarai masu tsauri. Waɗannan halaye sun sa SiC ya zama abin da ake so don aikace-aikacen da ake buƙata mai yawa waɗanda suka haɗa da yanayin zafi mai yawa da iskar gas mai lalata, kamar waɗanda ke ɗauke da chlorine da fluorine.
Fa'idodin Kayan Aikin CVD Bulk SiC:
•Yawan Yawa:Da yawan 3.2 g/cm³,Babban SiC na CVDsassan suna da matuƙar juriya ga lalacewa da tasirin injiniya.
•Mafi kyawun kwararar zafi:Yana bayar da ƙarfin wutar lantarki na 300 W/m·K, SiC mai yawa yana sarrafa zafi yadda ya kamata, wanda hakan ya sa ya dace da abubuwan da ke fuskantar yanayin zafi mai tsanani.
•Gwajin Sinadarai na Musamman:Ƙarancin amsawar SiC tare da iskar gas mai ƙonewa, gami da sinadarai masu tushen chlorine da fluorine, yana tabbatar da tsawon rai na sassan.
•Daidaitacce juriya: Babban SiCs na CVDAna iya keɓance juriya tsakanin 10⁻²–10⁴ Ω-cm, wanda hakan ke sa ya dace da takamaiman buƙatun ƙera kayan ado da semiconductor.
•Ma'aunin Faɗaɗawar Zafi:Tare da ma'aunin faɗaɗa zafi na 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD bulk SiC yana tsayayya da girgizar zafi, yana kiyaye daidaiton girma koda a lokacin zagayowar dumama da sanyaya cikin sauri.
•Dorewa a cikin Plasma:Ba makawa a fallasa ga plasma da iskar gas mai amsawa a cikin tsarin semiconductor, ammaBabban SiC na CVDyana ba da juriya mai kyau ga tsatsa da lalacewa, yana rage yawan maye gurbin da kuma kuɗin kulawa gaba ɗaya.
Bayanan Fasaha:
•Diamita:Fiye da 305 mm
•Juriya:Ana iya daidaitawa a cikin 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Yawan yawa:3.2 g/cm³
•Tsarin kwararar zafi:300 W/m·K
•Ma'aunin Faɗaɗawar Zafi:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Keɓancewa da Sauƙin Aiki:ASemicera Semiconductor, mun fahimci cewa kowace aikace-aikacen semiconductor na iya buƙatar takamaiman bayanai daban-daban. Shi ya sa aka tsara abubuwan haɗin CVD bulk SiC ɗinmu gaba ɗaya, tare da juriya mai daidaitawa da kuma girma dabam dabam don dacewa da buƙatun kayan aikinku. Ko kuna inganta tsarin etching na plasma ɗinku ko kuna neman abubuwa masu ɗorewa a cikin RTP ko hanyoyin watsawa, CVD bulk SiC ɗinmu yana ba da aiki mara misaltuwa.
