CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
Bayani:CVDbabban siliki carbide (SiC)abu ne da ake nema sosai a cikin kayan aikin etching na plasma, aikace-aikacen sarrafa zafin jiki mai sauri (RTP), da sauran hanyoyin masana'antar semiconductor. Keɓaɓɓen injin sa, sinadarai, da kaddarorin zafi sun sa ya zama ingantaccen abu don aikace-aikacen fasaha na ci gaba waɗanda ke buƙatar daidaito da tsayi.
Aikace-aikace na CVD Bulk SiC:Bulk SiC yana da mahimmanci a cikin masana'antar semiconductor, musamman a cikin tsarin etching na plasma, inda abubuwan haɗin gwiwa kamar zoben mayar da hankali, ruwan shawan iskar gas, zoben gefuna, da faranti suna fa'ida daga fitaccen juriya na lalata SiC da haɓakar zafi. Amfaninsa yana ƙara zuwaRTPtsarin saboda iyawar SiC don jure saurin canjin zafin jiki ba tare da raguwa mai yawa ba.
Baya ga kayan aikin etching, CVDbabban SiCan fi so a cikin tanda mai yaduwa da tsarin haɓakar kristal, inda ake buƙatar babban kwanciyar hankali na thermal da juriya ga yanayin sinadarai masu tsauri. Waɗannan halayen suna sa SiC ta zama kayan zaɓi don aikace-aikacen buƙatu masu girma waɗanda suka haɗa da yanayin zafi da iskar gas, kamar waɗanda ke ɗauke da chlorine da fluorine.
Fa'idodin CVD Bulk SiC Abubuwan Da Ya Shafa:
•Mafi Girma:Tare da girman 3.2 g/cm³,CVD girma na SiCaka gyara suna da matukar juriya ga lalacewa da tasirin injina.
•Babban Haɓakawa na thermal:Bayar da ƙaddamarwar thermal na 300 W / m · K, babban SiC yana sarrafa zafi sosai, yana mai da shi manufa don abubuwan da aka fallasa zuwa matsanancin yanayin zafi.
•Keɓaɓɓen Juriya na Chemical:Ƙananan reactivity na SiC tare da iskar gas, gami da chlorine da sinadarai na tushen fluorine, yana tabbatar da tsawon rayuwar abubuwan.
•Daidaitacce Resistivity: CVD girma na SiC'sresistivity za a iya musamman a cikin kewayon 10⁻²-10⁴ Ω-cm, sa shi daidaita zuwa takamaiman etching da semiconductor masana'antu bukatun.
•Ƙididdigar Faɗaɗɗen Ƙirar zafi:Tare da madaidaicin haɓakar haɓakar thermal na 4.8 x 10⁻⁶/°C (25-1000°C), CVD girma SiC yana tsayayya da girgizar zafi, yana riƙe da kwanciyar hankali mai girma ko da lokacin saurin dumama da sanyaya.
•Dorewa a cikin Plasma:Bayyanawa ga plasma da iskar gas ba makawa a cikin matakan semiconductor, ammaCVD girma na SiCyana ba da juriya mafi girma ga lalata da lalacewa, rage mitar sauyawa da ƙimar kulawa gabaɗaya.
Ƙididdiga na Fasaha:
•Diamita:Fiye da 305 mm
•Juriya:Daidaitacce tsakanin 10⁻²-10⁴ Ω-cm
•Yawan yawa:3.2g/cm³
•Ƙarfafa Ƙarfafawa:300 W/m·K
•Ƙididdigar Faɗaɗɗen Ƙirar zafi:4.8 x 10⁶⁶ C (25-1000°C)
Keɓancewa da sassauci:ASemicera Semiconductor, Mun fahimci cewa kowane aikace-aikacen semiconductor na iya buƙatar ƙayyadaddun bayanai daban-daban. Shi ya sa kayan aikin CVD ɗinmu na SiC ɗinmu cikakke ne wanda za'a iya daidaita su, tare da daidaitacce juriya da ma'auni masu girma don dacewa da bukatun kayan aikin ku. Ko kuna inganta tsarin etching ɗinku na plasma ko neman abubuwan daɗaɗɗa a cikin RTP ko hanyoyin watsawa, CVD ɗinmu na SiC yana ba da aikin da ba ya misaltuwa.
